5V转3.3V这个组合在嵌入式、单片机项目里几乎是家常便饭。不管是给STM32、ESP32供电还是给传感器、运放、语音芯片当电源大家最顺手就是拿一片LDO低压差线性稳压器直接怼上去。我也不例外早年画板子只要看到5V要变3.3V脑子里第一反应就是AMS1117-3.3管他三七二十一焊上去再说。但等我真的拿着热成像仪去照板子才发现自己之前有多天真。负载电流一上去那颗小小的SOT-223封装温度能轻松干到七八十度甚至更高。我甚至见过有人用LDO从24V降到3.3V整颗芯片直接冒烟。问题就出在很多人只记住了“低压差”这三个字却忘了LDO的本质是一个用电能换温度的线性电阻。这篇文章我想结合自己这些年踩过的坑认认真真把LDO功耗和散热这件事掰开揉碎讲清楚从5V降到3.3V你的LDO到底有多烫什么时候该用LDO什么时候必须换DCDC功耗怎么算、散热怎么做、选型怎么避坑一步步来。先给结论5V转3.3V当负载电流只有几十毫安时LDO完全没问题但电流一旦摸到300mA、500mA甚至1A这个量级你很快就得跟温升硬碰硬。这篇文章适合所有正在画电源电路、或者板子发热但找不到原因的硬件工程师和电子爱好者我会把从设计之初就该考虑的散热决策、计算公式、封装选择、PCB铺铜技巧都拉通讲一遍宗旨就一个手里的芯片心里有本热账。1. 拆开LDO的老底为什么压差越大芯片越容易“发烧”很多人一听“低压差”就默认LDO天生适合所有降压场景。这个误解得先正一正。LDO的“低压差”指的是输入输出之间的最小压差比如说AMS1117只需要1V左右的压差就能稳住输出而不是说它可以把这1V的压差凭空变没。芯片内部那颗调整管本质上就是一个受控的可变电阻。1.1 LDO工作原理一个自带闭环控制的动态电阻LDO内部通常由基准电压源、误差放大器、调整管PMOS或NPN管和反馈分压电阻组成。它的工作逻辑很简单输出电压经过电阻分压后与内部基准电压进行比较误差放大器根据差值控制调整管的导通程度从而让输出电压稳定在设定值。你负载变大、输出电压往下掉了一点误差放大器就会让调整管导通得更充分一点把电压重新顶回来输出偏高就往回收一点。这里面有个非常关键的物理事实LDO的输入电流和输出电流几乎相等。调整管工作在什么区线性区三极管或饱和区MOSFET它承担的是输入电压和输出电压之间的电压差。这个压差乘以流过的电流能量就全部变成热量从芯片表面散掉。所以你可以把LDO想象成一个自动调节阻值的可变电阻串在电源和负载之间帮你把5V“压”成3.3V代价是——1.7V的压差对应的功率全部变成热。这就是我一直强调的LDO根本不是“降压”而是“吸收电压”。它越卖力自己就越烫。数学上用一个简单公式就能表达P (VIN - VOUT) × IOUT其中P是芯片自身消耗的功率VIN是输入电压VOUT是输出电压IOUT是负载电流。忽略静态电流Iq的影响通常只有几毫安对功耗计算影响很小这个公式就是你评估所有LDO发热问题的起点。1.2 DCDC与LDO什么时候别用LDO搞清楚LDO的发热原理之后对比就变得很有意思。DCDC开关电源用的是开关管加电感储能靠斩波和占空比调节输出电压它内部管子只工作在完全导通饱和和完全关断两种状态所以在理想情况下它本身的功耗非常低效率可以做到90%甚至95%以上。而LDO的效率理论上限就是VOUT / VIN。5V转3.3V效率上限就是3.3 / 5 66%也就是说大概34%的输入能量注定变成热量。拿24V转3.3V这种场景举例LDO效率上限只有13.75%如果你需要500mA芯片功耗大约是(24 - 3.3) × 0.5 10.35W这个热量什么封装都扛不住分分钟冒烟。这也是为什么网上有人问“24V转3.3V电路设计”评论区总会有人喊“千万别用LDO”的原因——那真不是在开玩笑24V转3.3V这种高压差MPS的DCDC或者模块电源几乎是唯一答案。不过LDO也并不是一无是处它结构简单、外围元件少、噪声低、纹波小、成本低而且动态响应快。相反DCDC虽然效率高但外围有电感和二极管PCB面积大开关噪声和纹波通常比LDO高一个量级。所以在对噪声敏感的场景比如模拟采样、音频供电、RF电源和低压差小电流的场景里LDO仍然是不可替代的选择。结论很简单低压差、小电流选LDO高压差、大电流选DCDC。5V转3.3V正好卡在中间地带电流不大时两边都能用但对于追求电池续航的可穿戴设备来说66%的效率上限确实有点奢侈了。2. 算一笔明白账5V转3.3V不同电流下的功耗和温升功耗理论的落脚点必须是实际数字。5V转3.3V压差是1.7V这个值不大也不小但把电流代进去你就能看见不同场景下的真实差距。下面我用几个常见负载电流来算一遍同时把结温算清楚这是选型前必做的功课。2.1 功耗与结温计算公式详解除了核心功率公式P (VIN - VOUT) × IOUT之外你还需要一个计算芯片内部温度的关键参数热阻θJA。热阻的意思是指每消耗1W功率芯片内部结温相对于环境温度升高多少℃单位是℃/W。比如某颗芯片的θJA是90℃/W意味着芯片消耗1W功率时芯片内部晶圆温度会比环境温度高90℃。结温Tj的粗略计算公式Tj TA P × θJA其中TA是环境温度。注意手册里的θJA是在JEDEC标准测试板通常是特定尺寸和层数的PCB上测出来的你实际板子的铜箔面积、层数、周围发热器件、外壳通风状况都会影响真实热阻。所以手册给的θJA只能作为参考不能当作绝对保证值。芯片能承受的极限结温通常在125℃到150℃之间硅器件典型值为了长期可靠运行我会习惯把结温控制在100℃以内不要贴着极限值跑。如果计算出来Tj超过120℃设计基本就要返工了。2.2 典型电流档位下的功耗算例来几个实际数值。5V转3.3V压差固定1.7V我们逐档计算负载电流50mAP 1.7 × 0.05 85mW。这个功耗非常小。我经常拿小封装LDO给传感器或者运放供电SOT-23封装θJA大概在150到200℃/W温升也就13到17℃左右夏天室温30℃时芯片表面顶多40多度完全不需要操心散热。这也是LDO最舒适的工作区间。负载电流200mAP 1.7 × 0.2 340mW。如果用的是SOT-23封装θJA按170℃/W估算温升大约58℃。室温25℃时结温已经到83℃勉强能工作可你要是把它放在机箱里环境温度本来就有50℃结温直接顶到108℃已经很危险了。这时候要么降低负载、换SOT-89或SOT-223封装要么加铺铜散热。负载电流500mAP 1.7 × 0.5 850mW。逻辑上很多人想用AMS1117-3.3SOT-223封装拖500mA实际上这颗芯片极限也就1A500mA时功耗850mW。SOT-223的θJA在不同PCB条件下差异很大我实测过焊在2x3cm的单面FR4板上θJA大约60-80℃/W温升可能到50-68℃。芯片表面摸上去烫手手指放不了3秒。此时结温大约超过100℃寿命和稳定性都会受影响。如果没给足铜箔时间长了会有老化风险。负载电流1AP 1.7W。这个功率级已经是线性稳压器的重灾区。普通SOT-223封装即使铺了大铜箔温升还是很可观可能到70℃以上。很多时候1A状态下LDO会触发内部过热保护输出开始跌系统就开始匪夷所思地重启。别问我是怎么知道的。这些算例的核心参考价值在于你应该在做设计之前先预估一下负载电流到底在什么范围而不是等板子焊好才发现芯片烫得离谱到那一步再加散热已经很难受了。2.3 高压差场景的功功耗对比12V、24V转3.3V为什么更可怕既然算功耗这么简单我们顺手把高压差场景也算一遍帮大家建立更直观的体感。12V转3.3V压差8.7V100mA时P 0.87WSOT-23封装肯定不行SOT-223也勉强需要铺铜500mA时P 4.35W这个热功率已经能当小加热器用了普通LDO根本无法散热必须上DCDC。24V转3.3V压差20.7V哪怕只有50mAP也高达1.035WSOT-223都扛不住想拉到500mA那就要处理10W以上的热这已经不是PCB能解决的得加风扇或水冷当然明智的做法是直接换成DCDC模块。我之前设计过一个工业传感器板卡输入是工业总线提供的12V板上需要3.3V给MCU和无线模块总电流500mA上下。第一版我图省事直接上LDO结果发热大到外壳烫手无线模块的射频指标也跟着飘。后来换成一颗同步降压DCDC效率直接到90%以上壳体温升消失了续航和稳定性都上来了。这就是血泪教训别跟物理规律对着干。高压差场景必须用DCDCLDO只负责后面的小电流、低噪声二次稳压这样分工才合理。3. 散热设计的真功夫从封装选择到PCB铺铜的每一步有朋友会说“我知道了功耗算清楚就行了对吧”还没完。算好功耗只是第一步热还得想办法发出去。芯片的散热路径其实很清晰晶圆产生热量 → 传到引线框架 / 散热焊盘 → 传到PCB铜箔或环境空气 → 再通过对流、辐射散出去。所以散热设计主要做三件事选对封装、给足铜箔、留好布局。缺一件温度都容易失控。3.1 封装选型与热阻的取舍先挑封装因为封装直接决定热阻下限。你得用合适尺寸的封装来搭配负载电流预期纯表贴SOT-23典型θJA可能在150-250℃/W之间适合50mA以下低功耗场景再往上就捉襟见肘了。SOT-89自带一个大的collector/散热焊盘焊接时可以直接把这个焊盘连到PCB铜箔上θJA可以做到60-100℃/W适合100-300mA。SOT-223AMS1117就是这个封装带散热焊盘。热量从中间大焊盘往下走θJA通常在50-90℃/W之间配合PCB铺铜能在500mA左右勉强运行但需要认真做铜皮。DPAK/TO-252大封装θJA可以做到30-50℃/W适合1A左右但还要看铜箔面积够不够。TO-220这种通孔封装自带金属片可以再加TO-220散热片功率可以到几瓦级别。但板子上要占很大空间通常用在开关电源二次稳压或工业控制板里。选封装时我会把计算结温和功耗放在前面再把封装可承受的实际散热能力放到后面综合判断。如果计算出来的结温离极限太近就要果断升级封装不要指望铺铜能解决所有问题。铺铜给的是二次散热通道但封装的土壤决定散热上限。3.2 PCB铺铜面积与过孔设计的具体做法LDO的散热焊盘不能只接线。我的习惯做法是散热焊盘必须直接连到足够大的铜箔区域最好是连续的地平面或者电源平面而不是一根细走线。1oz35um铜厚的FR4板上散热铜箔面积越大热阻下降越明显。但也不是无限下降我实测过当铜箔面积从0.5平方厘米增加到2平方厘米时热阻下降幅度最明显再往上加效果就趋于平缓。所以我通常建议给LDO预留至少2平方厘米以上的顶层铜箔最好再通过过孔连到内部地层和底层铜皮。过孔的作用是帮忙把热量从表层搬到内层和底层。我常用的方法是在散热焊盘上加9到16个0.3mm-0.4mm的过孔这些过孔要放在焊盘内部生产时会被焊料填充或者直接开窗处理。过孔间距要均匀不要集中在一个角落。如果你的LDO底下还有顶层大面积铺铜那热流确实能做整个板子的散热器。这个技巧在多层的四层板、六层板上效果尤其好。如果你用的是两层板没得内部层那就在底层也铺一块对应的铜箔区域用一排过孔把顶层和底层的铜箔连接起来。底层铜箔的面积可以比顶层更大一些这样热量可以越过板子本身向上和向下两侧同时散。我在一个项目里用AMS1117带300mA负载顶层1.5平方厘米底层2.5平方厘米并用过孔连通板子放柜机里测温升芯片表面才比室温高40℃左右效果立竿见影。3.3 布局与空气流动别忽略“看不见”的散热通道散热不光是铜箔和封装的事板子周围的风道和器件布局也很重要。LDO周围不要被高器件电解电容、电感、屏蔽罩围得太死尤其是板子上有几个发热源比如功率电阻、DCDC电感的时候不要把它们放在LDO正上风处或正下风处。我见过一块板子LDO旁边正好竖着一个发热的功率电阻LDO自己还没怎么热就被旁边的热量给带起来了整片区域都在冒热气。另外散热焊盘所在的铜箔不要只连到LDO附近的零星地方就结束了。要是空间允许把这个铜箔直接作为该电源域的辅助地平面延伸出去形成一个连续的“散热岛”效果要比一些孤零零的小块铜皮好很多。多层板里多打一些过孔去连内部地平面也等于给LDO加了“电梯”让热量更顺畅地流到整个板子的面。现实中还有一个经常被忽视的点外壳通风。如果你的板子塞在一个密闭的塑料壳里整体环境温度可能比室温高10到20℃那你计算的结温余量也会相应缩水。所以在项目早期就评估好工作环境温度上限而不是拿着实验室25℃的数据去设计产品这一点值得写进团队的评审清单。4. 那些年我们踩过的坑LDO发热之外的隐藏雷区散热问题解决了LDO就能高枕无忧了吗还真不是。我整理了几个实际项目中碰到的高频“坑”每一个都真实让我花过时间排查希望对你有帮助。4.1 测试误区用手摸温度和万用表测纹波的局限性先说测试误区。有人反馈“芯片很烫”我上去一摸问他多少度他说“烫得不能碰”。这其实非常不严谨。人的体感只能大致判断相对温度不能当成设计依据。建议项目里至少备一个点温枪或热电偶必要时上热成像仪。以前我在实验室做功耗测试随手用红外点温枪照一下芯片表面那种“好像很烫”的主观感觉就立刻变成数据是72℃还是85℃想决策就清晰多了。再看纹波测试。很多人拿万用表的交流档去量LDO输出纹波量出来几十mV然后说“这纹波不大”。问题是万用表AC档带宽很小对高频噪声根本无能为力必须在输出端用示波器探头地线夹要尽量短最好用接地弹簧否则测出来的全是探头自身拾取的噪声。我见过有人量DCDC输出纹波探头挂着10cm地线夹测出200mV纹波吓得不敢用换短地线后实际纹波只有30mV。测量工具的差异比芯片本身的差异还大所以先别急着给芯片下结论。4.2 输出电容和负载瞬态响应的两难LDO的输出电容不是越大越好。虽然容量大能降纹波但它会影响环路的相位裕度可能带来振荡或响应变慢。某些LDO对输出电容的ESR有明确要求——如果用了ESR太低的陶瓷电容环路可能不稳定输出会振荡。这正是为什么老派的1117手册里都建议输出端串一个小阻值电阻或使用特定ESR的钽电容而新出的LDO通常设计成兼容低ESR陶瓷电容。遇到负载突然从轻载跳到重载时LDO响应需要一定时间输出电压会往下掉一截掉多少叫“负载瞬态跌落”。这时候输出电容更像是储能水池适当加大容量能缓解跌落幅度。我看过汽车电子和通信模块的参考设计输出电容从10uF加到了22uF甚至47uF就是为了降跌落。但别忘了过大的电容会让环路响应变慢开关机瞬间的冲击电流也可能变大。稳妥的做法是严格按照手册推荐的电容范围起步然后根据实际波形微调不要一步到位堆大电容。4.3 输入输出接反与热失控的防护策略LDO输入输出反接是低电压系统经常踩的低级错误。电源接反时体二极管或寄生二极管会直接导通轻则电流倒灌、输出端电压异常重则芯片直接烧毁。有些LDO内部自带反接保护但多数普通LDO并没有所以设计阶段最好在输入端加一个防反接MOS管电路或者串联一个肖特基二极管要接受压降和损耗。如果你做的是电池供电产品市面上很多充电管理芯片已经集成了防反接和过流保护直接用会更省心。热失控也是个隐蔽问题。LDO常有内部过温保护但它的触发是一次性的一旦结温超过阈值芯片会关断输出温度降下来又重新启动系统会表现为周期性重启。这种问题在锁死的应用现场最难调上电正常工作一会儿就重启重启之后又正常给人感觉是程序出bug了。如果发现板子是这种症状优先怀疑LDO过温。这时候就算你把芯片换大一号也不如直接把输出电压和电流的余量重新核实一遍来得彻底。4.4 常见问题速查表我把这些年遇到过的问题整理成一张速查表方便大家排查时对照现象可能原因排查方向芯片烫手输出正常负载电流过大 / 压差过高 / 铜箔面积不足实测负载电流复算PΔV×I加大铺铜或换封装输出周期性跌落或重启结温触发过热保护用热电偶测壳温计算结温优化散热或降压差输出纹波大探头地线过长 / 输入纹波传导 / 输出电容容量不足换短地线探头示波器AC耦合检查输入电源输出振荡高频啸叫输出电容ESR过低或相位裕度不足查手册ESR范围换钽电容或串小电阻输入反接芯片损坏缺少防反接保护输入端加PMOS防反接电路或二极管轻载正常重载电压跌LDO限流保护或过热降额确认负载电流是否接近最大额定测芯片表面温度用万用表测不出动态跌落万用表带宽不够使用示波器单次触发捕捉负载变化波形这张表不是让你背下来而是让你以后遇到电源问题的时候能有一个系统性的思维框架而不是对着芯片“灵魂拷问”。5. 选型与权衡算完功耗之后怎么挑一颗合适的LDO功耗和散热都算清了最后一步就是选型。市面上LDO型号多如牛毛但关键参数就那么几个输入电压范围、输出电压、最大输出电流、压差、静态电流Iq、PSRR电源纹波抑制比、噪声和封装。5V转3.3V这个场景我把选型逻辑拆成几步。5.1 核心参数筛选别只看最大输出电流先看输入输出电压是否匹配。5V输入、3.3V输出压差1.7V绝大多数LDO都能满足。接下来看输出电流不是光看手册第一页的“Output Current”那个数字。这个数字通常是在理想散热条件下测出来的实际可用电流往往只有标称值的60%-80%。你得结合结温计算反推在具体板子上这颗芯片能持续稳定输出多大电流。比如标称1A的LDO在你的板子上也许只能稳定输出500mA超过就会被过温保护压下来。静态电流Iq也很关键尤其在电池供电产品中。Iq是LDO自己工作消耗的电流设计得好的低功耗LDOIq可以做到微安级而像1117这种老芯片Iq可能到5-10mA对于待机功耗要求高的设备来说这是一笔很大的浪费。这也是为什么现在很多可穿戴设备里的LDO都换成了超低Iq的型号而不是用便宜大碗的1117。PSRR则是给噪声敏感电路选LDO时的重要指标。如果你拿LDO给运放或ADC供电输入端的纹波噪声会通过电源通道传导到输出。PSRR频率特性曲线不同芯片差异巨大好一点的LDO在1kHz到1MHz范围内能有50-70dB的抑制能力而普通LDO可能只有20-30dB。所以不要只看Vout和电流噪声敏感的电路一定把PSRR曲线拉出来看一眼。5.2 常见LDO型号对比与适合场景针对5V转3.3V我用的比较多的几款简单对比如下型号封装最大电流Iq典型值特点与适用场景AMS1117-3.3SOT-2231A5mA左右便宜通用适合项目初期和维修替换电流较大时散热要上心LM1117-3.3SOT-223 / TO-220800mA5mA左右经典规格书参数比某些山寨AMS1117可靠工业项目更稳ME6211SOT-23-5500mA约35uA低Iq适合电池供电、待机功耗要求高的便携设备XC6206SOT-23200mA1uA级别超低静态电流适合传感器、RTC等微功耗场景RT9013SOT-23-5500mA约50uA低压差、低噪声适合给RF模块或音频电路供电TPS7A系列多种数百mA到数A低至uA级TI高性能低噪声适合精密模拟和射频电源表格里的型号不是让你照抄我是想说选型一定要结合自己的负载特性和噪声要求。比如你只是给MCU供电那ME6211就够了如果是给DAC或精密运放供电RT9013甚至TPS7A可能是更稳的选择。5.3 LDO与DCDC的联合设计策略一个成熟的电源设计方案往往不是“LDO还是DCDC”的二选一而是两兄弟合理分工。在输入电压较高12V、24V的时候先用DCDC把电压降到比如4V或者5V再用LDO从4V/5V降到3.3V。这样DCDC负责高压差、大电流的高效转换LDO负责滤除DCDC的开关纹波和噪声给敏感器件提供干净电源。这种二级电源架构在工业控制板、汽车电子和通信设备里非常常见。我之前做过一块带WiFi模块和模拟采集的板子输入12V先用降压DCDC到5V再分别用两颗LDO一颗给WiFi模块3.3V500mA另一颗给模拟前端3.3V100mA。这样既控制了总功耗又保证模拟前端不会受到WiFi模块功率跳变带来的干扰。你用LDO给DCDC后端“洗一次电压”纹波噪声可以大幅下降而且因为DCDC输出已经比较接近目标电压LDO承受的压差小发热也小这个组合非常舒服。如果你是非模拟的普通数字系统直接拿DCDC输出3.3V也是完全可以的很多无线模组都推荐DCDC直供。把LDO当“万能降压器”用才是真正的问题所在。我的原则是能用DCDC扛大功率的地方不让LDO硬撑能用LDO做低噪声精调的地方不让DCDC直给。两者各司其职板子温度就好看得多。6. 结温估算与实际测试设计计算和实测之间怎么对齐前面讲了一大堆理论计算和设计技巧最后还是要回归到测试验证。设计算得再好不实测就等于纸上谈兵。而且在实测过程中你往往能发现理论计算和实际数据之间的偏差来源这才是最有价值的经验。6.1 热阻模型简易校准方法在真正打样之后我会对LDO的实际温升做一个快速校准测试。方法很简单焊好板子之后用电子负载或功率电阻模拟典型负载让系统稳定运行15到30分钟然后用热电偶或红外点温枪测量芯片表面温度。芯片表面温度加上一个差值就可以估算结温因为芯片结到外壳之间的热阻θJC通常小于10℃/W而外壳到空气的热阻占大头。假设芯片表面温度是80℃功耗0.85W如果θJC是5℃/W那结温就是80 0.85×5 84.25℃左右这个估算精度足够了。如果你的系统还有外壳或者风道那就要在最终装配状态下测试而不是只测裸板。因为塑料外壳的隔热效应可能会让板内温度比裸板高很多。我之前有一个消费电子项目裸板测试芯片表面62℃装上外壳之后直接飙到78℃就是因为外壳通风孔不够、热空气在壳内积聚。所以“实测”一定要在最终产品的装配状态下做才有意义。6.2 实际功耗测量技巧负载电流和输入电压的波动怎么测计算功耗需要准确的负载电流但现实中负载电流不是恒定值。MCU睡眠时可能只有几个毫安WiFi发射时飚到几百毫安。这时候你拿万能表串在电路里读到的只是一个平均电流不是峰值。更好的办法是使用示波器电流探头或高精度电流采样电阻观察实时电流波形。有条件的还可以用带电流记录功能的功率分析仪把24小时的电流数据记录下来找出消耗最大的窗口再根据“最坏工况”去算LDO的功率和温升。输入电压同样不能只看标称5.0V。USB供电的5V实际可能是4.7V到5.2V之间波动适配器在满载时电压也可能跌落。压差变小确实对LDO好发热小但千万别忘了LDO还有一个参数叫“最小压差”。如果输入电压在重载时掉到3.6V而你的LDO最小压差是0.8V那么3.6 - 0.8 2.8V输出根本稳不住3.3V。所以在做最坏工况分析时要把输入电压的下限、负载电流的上限、环境温度的上限全部代进去算一遍否则系统在实验室好好的一到现场就出各种诡异问题。6.3 散热验证的边界条件建议最后给一个散热验证的检查清单室温25℃裸板测试芯片表面温度不超过60℃-70℃并且结温低于100℃在最高工作环境温度比如65℃或85℃看产品定义下做模拟测试结温应该有20℃以上的余量用热电偶贴在芯片表面而不是只靠手摸或红外点温枪远距离测测试持续时间至少30分钟让热平衡建立起来再读数如果板子有外壳带上外壳一起测并记录壳内空气温度对批量产品建议抽样2-5片测试避免单片个体差异掩盖问题。做到这个程度基本可以保证这颗LDO在生命周期内不会因为热问题掉链子。当然如果测试发现芯片依然很烫那就要回到第一节的计算模型去重新评估看是否应该调整输入电压、减负载或者干脆换成DCDC方案。我个人实际做电源设计时的体会是LDO发热问题很少是孤立存在的它往往折射出系统级功耗分配不合理。把每一路电源的功耗、效率和散热成本都当成一体去设计而不是拆开单看你产出的板子才会真正可靠。最后再分享一个小技巧新项目打样回来以后我第一件事就是跑一遍全负载热测试拿热成像仪扫一遍板子所有异常温升点一目了然。这个方法花不了多少时间但能让你省下后面好几天调试的功夫。电源设计这颗“热账”早算永远比晚算划算。
